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元件参数资料
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参数目录42107
> FQP7N80C MOSFET N-CH 800V 6.6A TO-220
型号:
FQP7N80C
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Fairchild Semiconductor
描述:
MOSFET N-CH 800V 6.6A TO-220
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
FQP7N80C PDF
产品培训模块
High Voltage Switches for Power Processing
产品变化通告
Design/Process Change Notification 26/June/2007
标准包装
50
系列
QFET™
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
标准
漏极至源极电压(Vdss)
800V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
6.6A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
1.9 欧姆 @ 3.3A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
35nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
1680pF @ 25V
功率 - 最大
167W
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-3
供应商设备封装
TO-220
包装
管件
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